Toyo Tanso是日本領先的特種石墨和碳制品制造商，成立于20世紀中期，專注于高性能石墨材料的研發與生產。公司以1974年全球首次成功開發“等方性石墨”技術而聞名，該材料具有均勻的晶體結構和卓越的耐高溫、導電性及化學穩定性，廣泛應用于半導體、航空航天、核能、醫療等領域。
核心業務：生產高純度石墨、碳纖維復合材料、涂層石墨產品等，尤其在半導體制程設備（如單晶硅拉拔爐、外延生長基座）中占據重要地位。
Toyo Tanso的SiC涂層石墨基板主要用于半導體外延工藝，具體應用場景包括：
MOCVD基板
用于金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）設備，支撐氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）外延層生長。
SiC外延生長基板
作為SiC半導體晶圓制造的核心組件，承受超高溫（>1000℃）并抑制石墨基材的顆粒釋放。
硅外延生長基板
用于硅半導體晶圓的高溫處理，優化晶體生長質量。
SiC涂層基板按結構和應用分為以下類型：
單片式石墨基板：適用于單一晶圓的高精度加工。
多層石墨基板：支持多晶圓同時處理，提高生產效率。
高純度石墨制品
等方性石墨：用于半導體設備（如單晶爐熱場）、放電加工電極、核反應堆材料等。
冷等靜壓石墨：通過高壓成型工藝制成，具有低熱膨脹系數和超高純度，適用于真空爐和高溫環境。
涂層石墨產品
TaC（碳化鉭）涂層石墨：耐化學腐蝕性優于SiC涂層，適用于第三代半導體單晶生長和刻蝕工藝。
SiC/TaC復合涂層石墨：結合兩種涂層的優勢，提升高溫穩定性和使用壽命9。
工業應用組件
Susceptor（晶圓襯底底座）：用于碳化硅晶圓制造，計劃至2028年產能提升至目前的三倍。
EDM石墨電極：用于電火花加工，具有高導電性和耐熱性。
真空爐石墨件：耐高溫達3000℃，用于半導體和材料燒結工藝。
碳纖維復合材料
包括軸承、密封材料、汽車零部件等，應用于航空航天和新能源領域。
采用化學氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）技術實現高精度涂層。
通過自動化生產提升高純度石墨的產能和一致性（2025年產能目標為2022年的1.5倍）。
注意事項
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